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mosfet資訊

利用智能理想二極管實現(xiàn)汽車電池前端保護(hù)

簡介汽車電池端子在啟動、車輛保養(yǎng)或維修過程中可能被反接，如果對這些故障條件不能恰當(dāng)處理，電子控制單元 (ECU) 中的組件就可能損壞。除此之外，正常運(yùn)行期間的汽車電池電壓也可能不恒定。在 EMC 標(biāo)準(zhǔn)（如 ISO 763...

汽車電池前端保護(hù) 智能理想二極管 2026-05-14

SiC MOSFET 體二極管特性及死區(qū)時間選擇

01、SiC MOSFET的體二極管及其關(guān)鍵特性無論是平面柵還是溝槽柵，SiC MOSFET都采用垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，其縱向（從漏極到源極）的層狀結(jié)構(gòu)是通用的，如下圖所示：圖1. 溝槽型--英飛凌非對稱溝柵CoolSiC? M...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-30

羅姆發(fā)布第5代碳化硅MOSFET，導(dǎo)通電阻降低30%

據(jù)羅姆官方消息，日本半導(dǎo)體制造商羅姆在今年3月完成了第5代碳化硅（SiC）MOSFET的開發(fā)。新產(chǎn)品通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)和優(yōu)化制造工藝，在175℃結(jié)溫（Tj）條件下，導(dǎo)通電阻較上一代產(chǎn)品降低了約30%。羅姆指出，這款SiC ...

羅姆第5代碳化硅 2026-04-23

600V 超結(jié) MOSFET 面向電動汽車、開關(guān)電源及光伏逆變器應(yīng)用

來源：萬高半導(dǎo)體（Alpha & Omega Semiconductor，AOS）萬高半導(dǎo)體（AOS）推出的 AOTL037V60DE2 型 600V MOSFET，是該公司基于 MOS E2 平臺實現(xiàn)量產(chǎn)的首款器件。該...

MOSFET 太陽能逆變器 2026-04-23

SiC MOSFET的并聯(lián)設(shè)計要點

SiC MOSFET 的單管額定電流受芯片面積、封裝散熱、導(dǎo)通電阻等因素限制,常見的單管額定電流多在幾十到兩百安培,而軌道交通、新能源并網(wǎng)、高壓逆變器等場景,往往需要千安級的電流輸出,單管無法滿足。因此,SiC MOSF...

英飛凌 SiC MOSFET 2026-04-22

溝槽柵SiC MOSFET如何成為SST高頻高壓下的最優(yōu)解

對于我國的電力電子界來說,固態(tài)變壓器(SST)并非是一個全新的話題,在軌道交通、電網(wǎng)合環(huán)運(yùn)行、大型超充站項目里都有過試點實踐。受限于高成本、功率器件參數(shù)選擇少、高頻變壓器散熱瓶頸,SST曾經(jīng)的商業(yè)化之路面對的挑戰(zhàn)大于機(jī)遇...

英飛凌溝槽柵 2026-04-22

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mosfet專欄

專為將導(dǎo)通損耗降至較低而設(shè)計的800V+N型碳化硅MOSFET

“超節(jié)功率MOS管”應(yīng)為?超結(jié)功率MOS管?（Super Junction MOSFET），是一種專為高壓大功率應(yīng)用優(yōu)化的功率半導(dǎo)體器件。其核心創(chuàng)新在于通過?電荷平衡結(jié)構(gòu)?突破傳統(tǒng)硅器件的“硅極限”（即耐壓與導(dǎo)通電阻之間...

超節(jié)功率MOS管功率MOS管 2026-05-13

在路 + 離線兩種方式，精準(zhǔn)判斷 MOS 管好壞避坑要點

很多人測 MOS 管容易誤判，主要是沒分清在路測量和離線測量，被周邊電阻、電容、二極管干擾，導(dǎo)致誤判良品為壞件、壞件漏檢。下面分兩種場景給標(biāo)準(zhǔn)化判斷方法。離線單獨測量（最準(zhǔn)、推薦首選）1）拆下 MOS 管，懸空三個引腳2...

MOSFET 2026-05-11

MOS管通信電源模塊選型指南

在通信電源模塊的設(shè)計中，功率MOSFET的選型直接關(guān)系到系統(tǒng)的效率、可靠性、功率密度和成本。面對市場上琳瑯滿目的型號，如何快速、精準(zhǔn)地選擇一款合適的MOS管，是每一位電源工程師必須掌握的技能。本文將為您梳理通信電源模塊中...

MOS管 MOSFET 2026-03-07

MOS管在車載雨刮電機(jī)驅(qū)動電路中的應(yīng)用與阿賽姆方案

汽車雨刮系統(tǒng)是保障行車安全的關(guān)鍵部件，其核心動力源——雨刮電機(jī)的穩(wěn)定、可靠和高效運(yùn)行至關(guān)重要?，F(xiàn)代雨刮系統(tǒng)已從簡單的開關(guān)控制發(fā)展為具備多檔調(diào)速、間歇工作、自動感應(yīng)等智能功能的復(fù)雜系統(tǒng)。在這一演進(jìn)過程中，以功率MOSFET...

MOS管 MOSFET 2026-03-06

MOS管新能源儲能變流器PCS應(yīng)用：高效能量轉(zhuǎn)換的核心基石

在構(gòu)建新型電力系統(tǒng)和實現(xiàn)“雙碳”目標(biāo)的進(jìn)程中，儲能技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。儲能變流器（PCS）作為連接儲能電池與電網(wǎng)之間的核心能量轉(zhuǎn)換裝置，其性能直接決定了整個儲能系統(tǒng)的效率、可靠性與經(jīng)濟(jì)性。而在PCS的功率轉(zhuǎn)換單元中...

MOS管 MOSFET 2026-03-02

2026年MOSFET廠家推薦

2026年MOSFET廠家推薦：聚焦技術(shù)實力與解決方案在功率電子設(shè)計領(lǐng)域，MOSFET的選擇是決定產(chǎn)品效率、可靠性和成本的關(guān)鍵。隨著2026年市場對能源效率、功率密度和智能化要求的進(jìn)一步提高，工程師面臨的選型挑戰(zhàn)也日益復(fù)...

MOSFET MOS管 2026-02-09

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揭秘簡易 V-MOSFET 調(diào)光燈電路設(shè)計原理

深度解析簡易 V - MOSFET 調(diào)光燈電路

IGBT / MOSFET 的基本柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計

功率 MOSFET 的新型 PSPICE 子電路

從 MOSFET 漏極驅(qū)動 ZCD 引腳

IGBT / MOSFET 柵極驅(qū)動光耦合器基本設(shè)計

MOSFET顛覆和恢復(fù)

采用 BJT、MOSFET 和 IGBT 的智能電源模塊

mosfet資料

羅姆推出高功率密度的新型SiC模塊，將實現(xiàn)車載充電器小型化！

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MOSFET管的驅(qū)動電路設(shè)計資料總結(jié)

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英飛凌400 V CoolSiC MOSFET應(yīng)用介紹

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品綜述

英飛凌 CoolSiC 2024-12-27 立即下載

英飛凌400 V CoolSiC MOSFET用于AI服務(wù)器的應(yīng)用指南

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